ਉਤਪਾਦ

ਅਸੀਂ ਅਸੰਤੁਲਿਤ ਮੈਗਨੇਟ੍ਰੋਨ (UBM) ਸਪਟਰਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਈ ਗਈ 10.9% ਤੋਂ ਘੱਟ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੋਪਡ ਨੈਨੋਕਾਰਬਨ ਫਿਲਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ।ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੋਪਡ UBM ਸਪਟਰਿੰਗ ਨੈਨੋਕਾਰਬਨ ਫਿਲਮ (N-UBM ਫਿਲਮ) ਵਿੱਚ sp(3) ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਦੀ ਤਵੱਜੋ ਵਧਣ ਨਾਲ ਥੋੜ੍ਹਾ ਵੱਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਰੱਖਣ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ-ਵਰਗੇ ਬੰਧਨ ਘਟਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਪਾਈਰੀਡੀਨ-ਵਰਗੇ ਬੰਧਨ ਵਧਦੀ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਨਾਲ ਵਧਦੀ ਹੈ।N-UBM ਫਿਲਮ ਵਿੱਚ 0.1 ਤੋਂ 0.3 nm ਦੀ ਔਸਤ ਖੁਰਦਰੀ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਨਿਰਵਿਘਨ ਸਤਹ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਤੋਂ ਲਗਭਗ ਸੁਤੰਤਰ ਹੈ।N-UBM ਫਿਲਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਇੱਕ ਸ਼ੁੱਧ-UBM ਫਿਲਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (3.9 V) ਨਾਲੋਂ ਇੱਕ ਵਿਆਪਕ ਸੰਭਾਵੀ ਵਿੰਡੋ (4.1 V) ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਇਸਦੀ sp(3) ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਮਾਮੂਲੀ ਵਾਧਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਵਧਣ ਦੇ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੇਟੈਲਿਟਿਕ ਗਤੀਵਿਧੀ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ, ਇਹ ਸੁਝਾਅ ਦਿੰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਐਕਟੀਵਿਟੀ ਅਧਿਕਤਮ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਜਦੋਂ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ 10.9% ਦੇ ਆਸਪਾਸ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ Fe(CN)6(4-) ਦੇ ਸਿਖਰ ਵਿਛੋੜੇ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।N-UBM ਫਿਲਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ 'ਤੇ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਪਰਆਕਸਾਈਡ (H2O2) ਕਟੌਤੀ ਸੰਭਾਵੀ ਲਗਭਗ 0.1 V ਸ਼ਿਫਟ ਹੋ ਗਈ, ਅਤੇ H2O2 ਦਾ ਸਿਖਰ ਕਰੰਟ ਲਗਭਗ 4 ਗੁਣਾ ਵਧ ਗਿਆ।