ਉਤਪਾਦ

ਇੱਕ ਕੁਸ਼ਲ ਅਪਟਾਸੈਂਸਰ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ (GO) ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਇਮਪੀਡੈਂਸ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ (ECL) ਸਿਗਨਲ ਜਨਰੇਸ਼ਨ ਦੋਵਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਸੂਚਕ ਵਜੋਂ ਲਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਐਪਟੈਸੈਂਸਰ ਨੂੰ ਸੋਨੇ ਦੇ ਨੈਨੋਪਾਰਟਿਕਲ (AuNP) ਸੰਸ਼ੋਧਿਤ ਗਲਾਸਸੀ ਕਾਰਬਨ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ Ru ਕੰਪਲੈਕਸ (Ru(bpy)3(2+) ਡੈਰੀਵੇਟਿਵਜ਼) ਨਾਲ ਟੈਗ ਕੀਤੇ ਥਿਓਲੇਟਿਡ ਐਡੀਨੋਸਿਨ ਟ੍ਰਾਈਫਾਸਫੇਟ ਬਾਈਡਿੰਗ ਐਪਟਾਮਰ (ABA) ਦੀ ਈਸੀਐਲ ਪੜਤਾਲ ਨੂੰ ਸਵੈ-ਅਸੈਂਬਲ ਕਰਕੇ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (GCE).ABA ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਵਿਚਕਾਰ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​π-π ਪਰਸਪਰ ਕ੍ਰਿਆ ਦੇ ਕਾਰਨ ਏ.ਯੂ.ਐਨ.ਪੀ. ਸੰਸ਼ੋਧਿਤ GCE ਉੱਤੇ ਸਥਿਰ ਏ.ਬੀ.ਏ. GO ਨੂੰ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨਾਲ ਸੋਖ ਸਕਦਾ ਹੈ;Ru ਕੰਪਲੈਕਸ ਦਾ ECL ਬੁਝਾਉਣਾ ਫਿਰ ਊਰਜਾ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਡ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (Ret) ਦੇ ਇੱਕ ਵੱਡੇ ਵਾਧੇ ਦੇ ਕਾਰਨ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ।ਟਾਰਗੇਟ ਐਡੀਨੋਸਿਨ ਟ੍ਰਾਈਫਾਸਫੇਟ (ਏਟੀਪੀ) ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਵਿੱਚ, ਏਬੀਏ ਏਬੀਏ-ਏਟੀਪੀ ਬਾਇਓਐਫਿਨਿਟੀ ਕੰਪਲੈਕਸ ਬਣਾਉਣ ਨੂੰ ਤਰਜੀਹ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਨਾਲ ਕਮਜ਼ੋਰ ਸਬੰਧ ਰੱਖਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਤਹ ਤੋਂ ਦੂਰ ਰੱਖਦੇ ਹਨ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਈਸੀਐਲ ਸਿਗਨਲ ਵਧਾਉਣ ਦੀ ਇਜਾਜ਼ਤ ਦਿੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ Ret ਦੀ ਕਮੀ ਦੇ ਨਾਲ ਜੋੜ ਕੇ.ਉੱਚ ECL ਬੁਝਾਉਣ ਦੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ, ਵਿਲੱਖਣ ਬਣਤਰ, ਅਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ, ATP ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਦੇ ਲਘੂਗਣਕ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ Ret ਅਤੇ ECL ਤੀਬਰਤਾ 6.7 ਦੀ ਅਤਿ-ਘੱਟ ਖੋਜ ਸੀਮਾ ਦੇ ਨਾਲ 10 pM ਤੋਂ 10 nM ਤੱਕ ਵਿਆਪਕ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਰੇਖਿਕ ਸੀ। pM ਤੋਂ 4.8 pM, ਕ੍ਰਮਵਾਰ।ਪ੍ਰਸਤਾਵਿਤ ਐਪਟੈਸੈਂਸਰ ਨੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਜਨਨ, ਸਥਿਰਤਾ, ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਚੋਣਯੋਗਤਾ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕੀਤਾ, ਅਤੇ ਏਟੀਪੀ ਨੂੰ ਇਸਦੇ ਐਨਾਲਾਗਸ ਤੋਂ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਵੱਖ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਵਧੇਰੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਹ ਕੁਸ਼ਲ ECL ਐਪਟੈਸੈਂਸਰ ਰਣਨੀਤੀ GO 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਹੈ ਜੋ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਅਤੇ ECL ਸਿਗਨਲ ਸੰਕੇਤਕ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਆਮ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਹੋਰ ਜੀਵ-ਵਿਗਿਆਨਕ ਬਾਈਡਿੰਗ ਘਟਨਾਵਾਂ ਤੱਕ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।